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Samsung démarre la production de puces gravées en 3nm avec l’architecture GAA

Publié le: 01/08/2022  |  Par: Guide Informatique  
Samsung démarre la production de puces gravées en 3nm avec l’architecture GAA

Samsung a annoncé le lancement de la production de ses premières puces gravées en 3 nanomètres. Le constructeur sud-coréen prend ainsi temporairement l'ascendant technologique sur le leader du marché, le taïwanais TSMC.

Le secteur des semi-conducteurs est en ébullition depuis le début de la crise sanitaire. Alors que la chaîne de production a été perturbée par le contexte mondial, le secteur a connu une pénurie mondiale qui a paralysé d’autres secteurs, dont celui de l’automobile. Cette situation a fait prendre conscience aux gouvernements à travers le monde, de l’importance stratégique de ce secteur. Suite à cela, ils ont annoncé de nombreux investissements dans le secteur afin de développer la production dans leur pays. En parallèle, les leaders du marché, TSMC, Samsung et Intel, ont également annoncé de lourds investissements pour faire face à la demande. En dépit de ces événements les acteurs de ce secteur n’ont pas oublié de continuer à innover comme en témoigne aujourd’hui Samsung.

L’entreprise sud-coréenne a annoncé qu’elle a lancé la production de puces gravées en 3 nanomètres. Pour rappel, plus les transistors d’une puce peuvent être gravés finement plus la puce peut être efficiente, ce qui permet d’améliorer les performances et/ou de diminuer la consommation énergétique à performance égale. En parallèle, le sud-coréen a adopté une nouvelle architecture de transistors plus performante, abandonnant l’architecture FinFET, ou fin field-effect transistor, au profit de l’architecture GAA, ou Gate all around.

Samsung affirme que ces nouvelles puces gravées en 3 nm sont 23% plus performantes que la génération précédente, gravée en 5 nm. Par ailleurs, en terme d’efficience, elles peuvent consommer jusqu’à 45% d’électricité en moins. Physiquement, ces nouvelles puces sont 16% plus petites que les puces précédentes. Il faut également prendre en compte qu’il ne s’agit là que de la première génération de puce en 3 nm et que l’on peut s’attendre à davantage d’améliorations pour les futures puces. Bien entendu, les puces de 3 nm n’ont pas vocation à être utilisées partout car ces améliorations n’ont d’intérêts que dans les cas d’usage les plus exigeants. Il est donc prévu qu’elles soient utilisées pour la fabrication de puces mémoires et de processeurs, à la fois par Samsung même et par des clients externes.

 Samsung prend ainsi l’ascendant technologique sur TSMC. Ce dernier a également prévu de démarrer la production de puces gravées en en 3 nm au courant de l’année, mais uniquement avec l'architecture FinFET, moins performante. Samsung Foundry, nom de la division dédiée à la production de semi-conducteurs de Samsung, pourra donc s’appuyer sur cet avantage pour gagner des parts de marché. A l’heure actuelle Samsung ne compte « que »  16,3% de parts de marché face au géant TSMC qui en détient pas moins de 54%.

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